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2024半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用創(chuàng)新展

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2024半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用創(chuàng)新展

發(fā)布日期:2024-07-15 作者:人事行政部 點(diǎn)擊:

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       7月3日至5日上海新國(guó)際博覽中心于近日舉辦了一場(chǎng)半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用創(chuàng)新展,吸引了眾多業(yè)內(nèi)人士前來(lái)參觀交流。展會(huì)以CVD爐和裂解爐為主要展品,展示了半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的最新發(fā)展和應(yīng)用創(chuàng)新。展會(huì)不僅展示了半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的最新技術(shù),還為行業(yè)內(nèi)的企業(yè)提供了交流、合作和創(chuàng)新的機(jī)會(huì)。


        我公司展示的CVD氣相沉積爐和高溫石墨化爐受到行業(yè)關(guān)注,高溫石墨化爐用于碳碳復(fù)合材料、石墨軟氈、石墨硬氈的高溫石墨化及純化處理或其他產(chǎn)品的高溫?zé)Y(jié)處理。高溫純化爐是將石墨制品、石墨軟氈、石墨硬氈或SiC粉體等通過(guò)高溫焙燒和工藝氣體定向流動(dòng),經(jīng)過(guò)物理擴(kuò)散、化學(xué)反應(yīng)使雜質(zhì)元素從基體中排出,形成灰分含量低(5ppmw)、金屬含量降到PPB數(shù)量級(jí),從而達(dá)到半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)對(duì)石墨品質(zhì)(或粉體原料)要求的工藝過(guò)程。采用恒進(jìn)專屬超高溫、大電流引電技術(shù),能在2400℃條件下長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定使用。


       CVD氣相沉積爐用來(lái)制備高純、高性能固體薄膜的主要技術(shù)。把一種或多種蒸汽源原子或分子引入腔室中,在外部能量作用下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并在襯底表面形成需要的薄膜。由于CVD技術(shù)具有成膜范圍廣、重現(xiàn)性好等優(yōu)點(diǎn),被廣泛用于多種不同形態(tài)的成膜。主要應(yīng)用集成電路、半導(dǎo)體照明、微機(jī)電系統(tǒng)、功率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、新能源光伏等領(lǐng)域用于滿足CVD-TaC/SiC生長(zhǎng)過(guò)程中的環(huán)境要求??刂葡到y(tǒng)由PLC控制,控制準(zhǔn)確,自動(dòng)化程度高,可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)/手動(dòng)無(wú)擾動(dòng)切換,操作簡(jiǎn)單可靠、節(jié)省能源、無(wú)環(huán)境污染。


     展會(huì)的舉辦對(duì)于推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展起到了積極的促進(jìn)作用。展示了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)企業(yè)的技術(shù)實(shí)力和應(yīng)用創(chuàng)新能力,加強(qiáng)了企業(yè)之間的技術(shù)交流和合作,有助于提升整個(gè)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的水平和競(jìng)爭(zhēng)力。


      總之,本次半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用創(chuàng)新展是一次非常成功的展會(huì),它匯聚了業(yè)內(nèi)的領(lǐng)軍企業(yè)和專業(yè)人士,展示了最新的技術(shù)和應(yīng)用創(chuàng)新。我們期望這樣的展會(huì)能夠更多地舉辦,為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展添磚加瓦。

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相關(guān)標(biāo)簽:CVD氣相沉積爐爐,裂解爐,半導(dǎo)體,高溫石墨化爐,高溫純化爐

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